High performance of solution-processed SnO 2 thin-film transistors by promotion of photo-exposure time-dependent carrier transport during the pre-annealing stage - Université Paris Cité Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2020

High performance of solution-processed SnO 2 thin-film transistors by promotion of photo-exposure time-dependent carrier transport during the pre-annealing stage

Jun-Ik Park
  • Fonction : Auteur
Do-Kyung Kim
  • Fonction : Auteur
Hyunjae Lee
  • Fonction : Auteur
Jaewon Jang
  • Fonction : Auteur
Jihwan Park
  • Fonction : Auteur
Hyeok Kim
Philippe Lang
Interfaces, Traitements, Organisation et Dynamique des Systèmes
CV
In Man Kang
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Jin-Hyuk Bae
  • Fonction : Auteur

Domaines

Matériaux Chimie Physique [physics]
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Citer

Jun-Ik Park, Do-Kyung Kim, Hyunjae Lee, Jaewon Jang, Jihwan Park, et al.. High performance of solution-processed SnO 2 thin-film transistors by promotion of photo-exposure time-dependent carrier transport during the pre-annealing stage. Semiconductor Science and Technology, 2020, Jun-Ik Park et al 2020 Semicond. Sci. Technol. 35 065019, 35 (6), pp.065019. ⟨10.1088/1361-6641/ab8537⟩. ⟨hal-03007484⟩

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